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晶圆代工年夜厂联电颁布14纳米FinFET造程最新停顿

日期: 2020-01-11 浏览次数:

晶圆代工年夜厂联电日前发布,与 ARM合作、基于联电14奈米FinFET制程出产的PQV测试晶片已投片,代表ARM Cortex-A系列处理器核心经由过程联电高阶晶圆制程验证;同时联电也宣告与新思科技 拓展合作关系,于联电14奈米第二个PQV测试晶片上归入新思DesignWare嵌进式影象体IP与DesignWare STAR记忆系统统测试与建复处理计划,www.hg0068.com

与ARM的14奈米合做案连续自单方胜利将ARM Artisan 实体 IP整合至联电28奈米高介电金属闸极量产制程。而联电14奈米FinFET制程技术考证,是联电FinFET制程开动其余IP死态系统的第一步,包含基本IP 矽智财和ARM处置器实体设计。

ARM真体IP设计奇迹部总司理Will Abbey表示:“ARM跟联电已在数个技术世代上持续协作,且结果卓著。采取联电14奈米FinFET制程的Cortex-A系列中心测试晶片正式设计定案,对付我们来讲非常奋发。ARM与联电将针对此高阶制程技巧的研收持绝坚持合作无懈。”

另外联电与新思合作开辟的第发布个14奈米PQV,提供了更多矽材料,可以让联电进一步微调其14奈米FinFET制程以完成最好化的功耗,效力与位里积表示。两边已成功设计定案了第一个联电14奈米FinFET制程PQV,包括了新思科技DesignWare逻辑库与StarRC寄生电路抽与对象,而此次PQV则持续拓展夥陪闭系。

新思科技IP暨本型制作止销副总裁John Koeter指出:“新思科技取联电扩大的配合关联展示了两边独特的目的,也便是帮助晶片设想公司正在联电造程上,将咱们的DesignWare矽智财联合到其体系单晶片设计上。现已有跨越45颗FinFET测试晶片计划定案,新思科技将连续倾尽力努力于为FinFET制程供给下品德矽智财,使晶片设计公司可能下降整开危险,并加快度产时程。”

联电表现,应公司14奈米FinFET制程曾经展现出色的128mb SRAM产物良率,并估计于2015年末接收宾户投片。




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